네패스가 지난 11월 4일부터 7일까지 대구 인터불고 호텔에서 열린 ‘ISMP 2025(제23회 국제 마이크로전자 및 패키징 심포지엄)’에서, ‘Fan-Out Embedded Bridge Interposer for Scalable Heterogeneous Integration of NPUs and HBMs’를 주제로 발표를 성공적으로 마쳤다.
이번 발표는 AI 및 고대역폭 메모리(HBM) 기반의 이기종 집적 기술을 위한 팬아웃 기반 브릿지 인터포저 개발 성과를 공유하는 자리로, 참석자들로부터 고밀도·고속·저전력 패키징 구현에 대한 실질적 해법을 제시했다는 평가를 받았다.
ISMP 2025는 3D/2.5D Integration, Chiplet 기반 설계, Hybrid Bonding, UCIe 인터페이스 등 첨단 패키징 기술이 집중 조명된 국제 심포지엄으로, 올해는 특히 AI 반도체와 차세대 메모리 집적 기술에 대한 발표가 다수 이어졌다. 이번 심포지엄에는 인텔(Intel), 삼성전자, SK하이닉스, 램리서치(Lam Research), 도쿄일렉트론(Tokyo Electron), 펄스포지(PulseForge), 삼성전기 등 글로벌 반도체 선도 기업들이 발표자로 참여했으며, UCLA, USC, KAIST 등 주요 학계 인사들도 함께해 기술 교류와 협업 논의가 활발히 이루어졌다.
네패스는 이번 발표를 통해 자체 개발한 Fan-Out Embedded Bridge Interposer 기술이 설계 유연성에서 우위를 가진다는 점을 강조했으며, AI 서버, 엣지 컴퓨팅, 자율주행차 등 고성능 응용 분야에서의 적용 가능성을 제시했다.
이 날 발표를 맡은 반도체 연구소 이정원 소장은 “이번 ISMP 2025 발표는 현재 네패스가 진행하고있는 RDLinterposer 뿐 아니라 Fan-Out Embedded Bridge Interposer 기술 확보를 위해 노력하는 것을 보여주는 기회였다”며 “앞으로도 AI 반도체 패키징 분야에서 국내기업을 대표하여 기술 혁신을 지속해 나갈 것”이라고 전했다.